ECC纠错 美光推25纳米ClearNAND闪存

　　美光宣布推出新概念的大容量闪存产品ClearNAND，针对企业级应用以及消费电子产品，直接在闪存芯片中集成了智能ECC错误校验功能。

　　美光表示，随着闪存工艺进入20nm级时代，读写闪存过程中的出错几率大大攀升。传统方案将ECC纠错的工作交由闪存控制器完成，错误几率增大则会影响闪存性能和可靠性。而ClearNAND的意义就是将ECC错误校验电路直接和NAND闪存直接封装在同一颗芯片中，将校验功能从控制器移至闪存芯片内部，并仍然使用原始闪存接口，尽量减少对原始NAND闪存信号接口协议的修改。

　　首批ClearNAND产品使用25nm工艺制造，未来还将升级到更先进制程。目前，该系列有两大产品线：标准版Standard ClearNAND容量8GB到32GB，主要针对便携媒体播放器以及其他消费电子设备。增强版Enhanced ClearNAND在此基础上又增加了一系列用以改进容量、性能和可靠性的企业级特性，容量16GB到64GB，主要应用于企业运算环境。

　　目前，标准版和增强版的ClearNAND闪存都已量产出货。