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暗藏玄机 三星30nm掀起本条新时代

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CBSi中国·ZOL 作者:中关村在线 蒋丽 责任编辑:孙玉亮 【原创】 2011年09月29日 05:16 评论
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暗藏玄机 30nm掀起本条新时代

    笔记本电脑以方便携带而著称,其中的电池继航力是广大本友以及商务人士重点关注的性能指标之一。笔记本电脑厂商为了提高电池继航力,尽可能采用节能硬件,唯独内存由于制造工艺的原因(此前为40nm-60nm),一直徘徊在1.5V的标准电压,功耗难以下降。在低耗节能的时代,笔记本电压难题预示着30nm内存的出现。


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三星30nm 2GB DDR3L-1600MHz本条

  广大网友对DDR3-1600MHz台式机内存并不陌生,在超频内存我们就能看到其身影。40-60nm制造工艺的DDR3-1600MHz内存,无法在标准1.5伏电压下长时间承受1600MHz频率,因此内存厂家普遍将超频内存的电压提高至1.65伏。而30nm DDR3内存无需提高电压即可完美支持1600MHz频率,甚至可以在降低电压后仍能保持1600MHz频率。

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三星30nm 2GB DDR3L-1600MHz笔记本内存 

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三星30nm DDR3L-1600MHz本条的低电压英文和节能标志

    30nm的内存颗粒芯片较之40nm体积更小,导致三星内存的标签完全将其遮盖,已看不到内存颗粒的外观。笔者见过40nm三星本条,尚能看到颗粒芯片上的SEC英文以及数字编号。先进的内存工艺不仅仅缩小了颗粒芯片的体积,还增加了内存的频率,增强内存的稳定性,降低电压达到节能目的。

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三星30nm 2GB DDR3L-1600MHz本条的性能参数说明

    三星存储自2011年3月中旬强势进入中国市场以来,一直有着优异的表现。尤其是在内存疯狂降价浪潮中表现突出。而三星的30nm制造工艺经过1年时间的生产技术积累,正式推向市场,三星30nm DDR3L-1600MHz本条价格只需125元,必将引起笔记本内存史上有一次革命,我们拭目以待。

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