热点:
    编辑

    突破存储极限 三星EVO Plus闪存卡首测

      [  中关村在线 原创  ]   作者:  |  责编:孙玉亮
    收藏文章 分页阅读 暂无评论
    返回分页阅读本文导航
    产品:micro SDXC卡 EVO PLUS(256GB) 三星 闪存卡

    1外观设计:品牌延续,高度统一

    近年来,随着闪存技术的突飞猛进,特别是以三星为主的闪存原厂在3D NAND等关键性技术的研发和创新,超大容量更小体积更强稳定性的闪存产品纷纷问世,掀起了又一轮新的存储风暴。

    近日,三星存储正式宣布,旗下基于3D NAND闪存技术的三星EVO 256GB超大容量SD卡的升级版三星EVO PLUS携带着全新的闪存技术和更加强劲的性能,将于不久后正式问世。

    突破存储极限 三星EVO Plus闪存卡首测

    升级版三星EVO PLUS 256GB闪存卡

    作为三星存储在SD卡领域的最新产品,脱胎于三星EVO 256GB的升级版三星EVO PLUS 256GB闪存卡在产品设计上到底又有哪些创新?在应用了更核心的3D NAND技术的新产品在具体性能上又有多少突破?

    突破存储极限 三星EVO Plus闪存卡首测

    下面,就请和笔者一起通过测试数据进行分解。

    外观设计:品牌延续,高度统一

    在进行测试之前,我们先来看看此款产品的外观设计。

    在外观上,由于同属于三星EVO 256GB系列,在设计上此款EVO Plus保持了和整个系列的高度统一,整体配色上依旧采用红色为主色调,辅以白色进行点缀。

    突破存储极限 三星EVO Plus闪存卡首测

    延续上一代外观设计

    在产品表面,依旧保持和上一款EVO 256GB+的文字设计,大字的容量标识,熟悉的白底黑字“SAMSUNG”的品牌logo,以及U3等速度等级标识,几乎没有多余的改变和设计。

    突破存储极限 三星EVO Plus闪存卡首测

    经典的红白配色以及白底黑字

    唯一的区别在于产品之间的型号标识存在差异,上一款是“+”系列,而这一款则是“Plus”系列。

    突破存储极限 三星EVO Plus闪存卡首测

    统一中的不同全新“Plus”标识

    产品:micro SDXC卡 EVO PLUS(256GB) 三星 闪存卡

    2理论性能:95mb/s读取,90MB/S写入

    理论性能测试:95mb/s读取,95mb/s写入

    进入产品测试部分,我们将在三个维度即理论读写测试、实际读写测试以及应用展示三个维度进行综合评价。

    鉴于SD卡在实际应用中,主要考量产品的连续读写性能,因而在理论读写性能测试中,重点测试产品的连续性能。

    在连续性能测试中,我们依旧采用CrystalDiskMark和ATTO进行测试。

    CrystalDiskMark是一款简单易用的硬盘性能测试软件,但测试项目非常全面,涵盖连续读写、512K和4KB数据包随机读写性能,以及队列深度(Queue Depth)为32的情况下的4K随机性能。队列深度描述的是硬盘能够同时激活的最大IO值,队列深度越大,实际性能也会越高。

    突破存储极限 三星EVO Plus闪存卡首测

                         CrystalDiskMark测试                      

    ATTO Disk Benchmark是一款简单易用的磁盘传输速率检测软件,可以用来检测硬盘, U盘, 存储卡及其它可移动磁盘的读取及写入速率。由于该软件使用了不同大小的数据测试包, 数据包按0.5K, 1.0K, 2.0K直到到8192.0KB进行分别读写测试, 能够真实模拟固态硬盘等存储工具在日常生活中的工作模式,因而能够客观真实的反应固态硬盘的在实际生活中的性能,对于普通用户有一定的参考价值和意义。

    此款软件还有个创新之处在于,每一项数据测试完成后系统会用柱状图的形式表达出来,简洁明了展现出大小比例不同的文件对于磁盘读写速度的影响。

    突破存储极限 三星EVO Plus闪存卡首测

    ATTO测试

    在CrystalDiskMark和ATTO测试中,此款三星EVO Plus的连续速度分别为96MB/S(读取)、88MB/S(写入),以及98MB/S(读取)、89MB/S(写入)。

    经过综合分析,我们可以大致得出此款三星EVO Plus 256GB闪存卡连续读取速度在96MB/S左右,连续写入速度在89MB/S左右。

    这和官方标称的95MB/S的读取,90MB/S的写入,几乎没有差异。这也验证了此款产品在连续读写性能上的强大,95MB/S的读取以及90MB/S的写入,几乎可以称得上是当下SD卡领域性能最为强悍的单品了。

    产品:micro SDXC卡 EVO PLUS(256GB) 三星 闪存卡

    3实际性能测试:1GB文件仅耗时11秒

    实际性能测试:1GB文件仅耗时11秒

    相较于理论读写性能,实际读写性能测试,能从更为贴近生活的角度还原产品的真实效能。

    在实际读写性能测试中,我们采用fastcopy进行测试。

    鉴于闪存卡在实际中存在着读写大容量单一文件以及小容量零散文件的不同需求,所以在此次实际性能测试中,我们将根据这两种情况分别进行测试。

    突破存储极限 三星EVO Plus闪存卡首测 突破存储极限 三星EVO Plus闪存卡首测

                    大文件模式测试                               小文件模式测试

                                          

    在大文件模式中,此款三星EVO Plus 256GB闪存卡在传输容量高达3894MB大小的单一文件时,仅用时46.31秒,实际平均读写速度达到84MB/S,换句话也就是传输容量大小为1GB的文件仅耗时11秒左右,读写性能十分惊人。

    在小文件模式中,更为考量产品的4K处理能力,在传输文件总数量为1174个零散文件时,三星EVO Plus 256GB也仅仅耗时1分钟,平均下来每秒能够传输接近20个文件,这种表现能够完全满足视频拍摄和照片处理等应用场景的性能需求。

    小结:

    三星全新EVO Plus 256GB闪存卡的问世,进一步推动了存储行业在高品质大容量存储卡方面的探索,革新的3D NAND技术的植入,在提高产品容量的同时,还提升了整个产品的稳定性和极限性能,尤其是95MB/S的读取以及90MB/S写入,更是为整个行业树立了新的性能标杆。

    在智能硬件和大数据发展的新时代,大容量高性能强稳定的三星EVO Plus 256GB闪存卡必将成为新的存储明星产品。

    4三星micro SDXC卡 EVO PLUS详细参数

    返回分页阅读本文导航
    不喜欢(0) 点个赞(0)

    推荐经销商

    投诉欺诈商家: 400-688-1999
    • 北京
    • 上海

    移动存储文章推荐