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    64层不在话下 群联SSD控制芯片完美支持

      [ 凤凰网 转载 ]   |  责编:孙玉亮
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      今年初宣布其固态硬盘(SSD)控制芯片取得BiCS3测试验证的群联电子(Phison),日前再推出PS8131内存控制芯片,与前一代2D NAND版本相比,这款可搭载东芝64层垂直存储、3D NAND ( BiCS3)技术之SD 5.1 A1规范兼容的MaxIOPS系列内存卡控制芯片效能速度要快上二倍。

      PS8131提供高于前一代产品2倍的随机写入速度 (从 500 IOPS 提升至 1300 IOPS),并强化了控制芯片的硬件及韧体架构,而且不仅能兼容于目前的Android Marshmallow操作系统,还能支持最新的Nougat操作系统,与智能行动装置的内存透过嵌入式扩展存储功能 (Adoptable storage function)的整合运作,让终端使用者能有更高的内存存储容量可以使用,提升用户经验。

      在技术发展上,PS8131支持群联电子自主开发的最新科技StrongECC纠错技术,因此不但具备精简及低功耗的设计特性,也提升了3D NAND Flash的可靠度,且预计于今年上半年开始出货搭载具备东芝(Toshiba)64层垂直存储的 3D NAND ( BiCS3)的高容量存储解决方案,而PS8131容量支持将从32G至256GB皆可达到优化表现。

      另方面,PS8131符合目前最新的SD 5.1 A1 规范 (Application Performance Class),具备超高性能,表现在Read/Write IOPS, PS8131 MaxIOPS+ 轻松达到2000/1300, 远高于SD 5.1 A1 规范的1500/500,不但能为Android 7.0 / 6.0装置的用户提供即刻扩充内部内存容量的便利性,能更好地与行动装置内存整合运作,将行动装置用户体验提升到全新水平,以满足日益增加的高容量移动存储需求的智能型手机、平板计算机等新一代行动装置扩充内存的需求。

      群联表示,取得BiCS3测试验证象征着该公司已为迎接由东芝主导的3D NAND Flash时代做好准备。群联是东芝的合作伙伴,有鉴于日本东芝将持续推升48层、64层等次世代3D NAND Flash先进制程技术,并预计于今年新推出3D NAND Flash高容量BiCS3芯片,群联电子相关SSD控制芯片产品抢在今年首季取得BiCS3测试验证,以预作准备。

      目前群联电子的SSD控制芯片主要产品包括有PS3110- S10(简称S10)、PS3111- S11(简称S11),皆已于今年2月份正式取得BiCS3验证,因此在可预见的未来里,一旦NAND Flash制造原厂日本东芝正式推出BiCS3芯片,群联电子的S10、S11即可进行搭载设计取得市场先机,为日本东芝扩大3D NAND Flash的市场版图增添新动能。

    mst.zol.com.cn true http://mst.zol.com.cn/637/6379934.html report 2113   今年初宣布其固态硬盘(SSD)控制芯片取得BiCS3测试验证的群联电子(Phison),日前再推出PS8131内存控制芯片,与前一代2D NAND版本相比,这款可搭载东芝64层垂直存储、3D NAND ( BiCS3)技术之SD 5.1 A1规范兼容的MaxIOPS系列内存卡控制芯...
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