美光于Memory Day中宣布目前已经成功以34nm生产32Gb NAND Flash闪存，并宣布将积极布局高容量SSD市场，容量介于32GB到128GB间。美光认为SSD具有极佳的潜力，将是未来NAND Flash终端产品最大的应用之一，因此积极投入，希望在未来站稳市场。
美光预估2008年全球NAND Flash市场将达到254亿美元，除了目前一般MP3/PMP、UFD、记忆卡等应用，也相当看好行动储存市场的潜力，因而提出了相对应的整合型产品，如「e-MMC」与「real SSD」来满足市场需求，e-MMC(Embedded Multi-Media Card)结合8颗NAND Flash Die及MMC controller于单一装置中，厚度为1.47mm，未来将薄至1.2mm，e-MMC具有整合软硬件的简易性，能够加速处理速度，降低目前及未来NAND装置设计的复杂性，同时亦可纳入MoviNAND和其它e-MMC的解决方案，目前e-MMC容量介于1GB至32GB间，可以广泛运用于Smart Phone、PDA、MP3 Player与数字摄影机，2008至2009年以34nm提供32GB容量的产品，2009至2010年则将以2xnm提供64GB的产品。
美光也看好SSD市场前景，2008年SSD市场规模为9.59亿美元，2012年将上看44亿美元，达到目前5倍的规模。针对SSD市场，美光也提出相关解决方案：REAL SSD Embedded，采用SLC NAND Flash，提供包含1、2、4、8GB的不同容量，读写速度分别达到31MB/s与21MB/s；而REAL SSD Client(C200)则采用MLC NAND Flash、SATA接口，读写速度分别达到200MB/s与120MB/s；REAL SSD Client(C100)则使用SLC NAND Flash、SATA接口，读写速度分别达到65MB/s与35MB/s；REAL SSD Performance(P200)使用SLC NAND Flash、SATA 接口，读写速度分别达到250MB/s与250MB/s，产品兼具有轻量与节能的功能。基于对市场的高度期望，美光已展开积极布局。
虽然IM Flash阵营目前已宣示将于4Q08投产34nm NAND Flash，但其它NAND Flash大厂针对未来Flash技术与产品也分别提出规划，Samsung将于2H08投入51nm 3-bit/cell MLC的生产，并于2H09由42nm提升到3Xnm制程技术来生产MLC或TANOS的Data FLASH；Toshiba & SanDisk阵营预计于1H09将会开始生产43nm 3-bit/cell MLC NAND Flash，并于2H09由43nm提升到3X nm NAND Flash的制程技术；而Hynix & Numonyx阵营则将于1H09由48nm提升到41nm的制程技术来生产NAND Flash，同时Hynix也将于2H08投入48nm 3-bit/cell MLC的生产，因此未来将形成Flash技术上的良性竞争，为业界带来更多的创新成果。
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