根据镁光预估，今年年全球NAND Flash市场可望成长至254亿美元规模，除了目前一般数位影音播放器、UFD（通用串列汇流排快闪记忆体储存驱动器）、记忆卡等应用外，也相当看好行动储存市场的发展潜力。
为降低生产成本，强化竞争力，NAND Flash制造厂持续不断进行制程技术微缩，其中IM Flash阵营已宣示，34纳米制程技术将于今年第四季投产。南韩三星电子则预计，明年下半年制程技术将由42纳米，推进至30纳米世代。
Toshiba与SanDisk阵营同样预计于明年下半年由43纳米提升至30纳米世代制程技术；Hynix与Numonyx 阵营则将于明年上半年由48纳米提升到41纳米制程技术。
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