成长显著 全球闪存芯片产业发展概况

　　2007年全球记忆体市场受到最大比重DRAM供过于求的影响，市场表现不如预期，使得记忆体整体产值为591亿美元，较2006年衰退3%，与2006年成长22%的表现形成显著的落差。

　　2007年全球NAND Flash市场较2006年成长了15%，达到155亿美元，成为稳住全球记忆体产值的重要力量。而记忆体产值比重最高的DRAM市场则一反2006年大幅成长36%的亮丽表现，2007年产值衰退7%，产值为319亿美元。预估2008年DRAM市场为284亿美元，衰退11%，NAND Flash可望受惠于可携式产品对储存影音资料需求的增加，而将持续成长15%，市场达178亿美元。

　　主要记忆体产品中，2007年仍以DRAM的产值占最大比重，其次为Flash，第三大则是SRAM ，但与前两大的差距甚远。预估2010年DRAM仍然是记忆体产品的最大宗，重要性不可取代。但Flash的产值比重则快速提升，成为最具有成长性的记忆体产品，SRAM则呈现持平的状态。

　　而Flash产品中又可分为NOR Flash及NAND Flash两类。其中以NAND Flash市场的发展最受瞩目，2007年在各记忆体产品疲软之际，Flash市场却一枝独秀的呈现高成长的态势，不仅优于DRAM 衰退7%，以及NOR Flash衰退8%的表现，也优于全球记忆体市场衰退3%的表现。

　　这主要是受惠于苹果电脑iPod nano、以及数位相机、手机等各类手持行动装置对NAND Flash记忆容量需求的大幅成长。

　　NAND Flash市场虽然在2006年的表现不如以往的高度成长态势，并较DRAM来得逊色，但2007年则呈现一枝独秀的表现，大幅成长15%，达到55亿美元。整体而言，随着手持行动装置对资料储存的需求量快速提升，将带动NAND Flash市场的快速成长，这使得NAND Flash产值与NOR Flash产值的差距逐渐拉大。

　　2007年前五大NAND Flash厂商合计市场占有率高达95%，显示NAND Flash产业的厂商集中度相当高。其中前三大厂商Samsung 、Toshiba、及Hynix在2007年的合计市场占有率高达85%，略低于2006年的89%，主要受到Micron及Intel的竞争所影响，但仍持续成为主导全球NAND Flash市场的关键力量。

　　第一大厂商仍为南韩的记忆体大厂Samsung，但市场占有率已从2006年的46.1%，下滑至2007年的40.9%。显见NAND Flash的市场占有率竞争呈现白热化的阶段，主要是受到南韩另一家记忆体大厂Hynix以及美国Micron及Intel大力扩充产能所致。

　　展望2008年，整个NAND Flash市场仍将呈现南韩的Samsung、Hynix，日本的Toshiba、以及美国Intel与Micron合资的IM Flash公司四强竞争的局面。

　　整体而言，DRAM及NAND Flash仍是市场瞩目的焦点。由于南韩的Samsung及Hynix两家公司均位居全球DRAM与NAND Flash市场的前三大，使得同时具有NAND Flash及DRAM生产能力的Samsung与Hynix等厂商，可依市场供需情形将DRAM的产能与NAND Flash产能适时调拨，有利于记忆体产业供需的平衡与策略布局。

【每日推荐】精英/海盗船强强联合 超值团购上线