供应减少需求回温 有助闪存价格回升

　　在全球金融风暴的阴影笼罩下，使得2H08传统电子业旺季备货需求已不如往年的成长幅度， NAND Flash价格在旺季需求不如预期及下游客户去化库存的双重影响下，3Q08及4Q08价格均下滑约30% QoQ以上，多数NAND Flash供货商在3Q08已出现亏损的的情况，2008年9月Hynix首先宣布将淘汰部份200mm 厂的NAND Flash产量，4Q08随着市场对2009年全球景气预期更趋保守，IM Flash也在2008年10月宣布其200mm 厂房将停止生产NAND Flash，同时也把新的300mm NAND Flash厂房的投产时程由4Q09延后到1Q10，由于一些下游电子领导厂商也开始陆续下修2009年的电子产品出货量预期，2008年12月时Toshiba/Sandisk阵营也宣布将自 2009年1月减产约30% MoM的NAND Flash产量，同时Samsung 2009年也将会按原定计划继续逐渐淘汰200mm 厂的NAND Flash产量，预估1Q09晶圆总产量将比4Q08减少约10% QoQ左右。

　　在全球经济不景气及金融市场筹资难度增高的低迷氛围下，NAND Flash厂商对2009年的供给策略多是采用淘汰成本竞争优势较差的200mm厂房设备，暂缓扩充300mm厂房的产能，而以提升现有300mm厂房的制程技术来增加位产出量，以达到降低资本支出及减缓位产出成长速度的双重目的，因此我们预估4Q08及1Q09 NAND Flash 200mm晶圆产能将分别减少约20% QoQ，预期1Q09时200mm晶圆产量将降到NAND Flash总晶圆产量的20%以下，也使得8Gb MLC 以下的低容量NAND Flash颗粒在1Q09的产出量将明显的减少，同时随着4xnm将在2Q09成为 300mm厂房的主流制程技术后，16Gb MLC以上的高容量产出比重也将持续增加，随着微缩制程难度的增加，预期3xnm制程技术要到4Q09时生产比重才会有明显的提升，由于2009年总体环境不确定因素仍多，所以NAND Flash市场的能见度也不高，因此多数NAND Flash供货商原则上将会以整体市场需求的成长幅度为参考区间，而来调整各自的产出成长目标，同时对2H09的产能规划也将视市场需求的复元情况而定，我们预估NAND Flash位元供给成长率将由2008年的132.1% yoy减缓到2009年的65.4% yoy。

　　虽然2009年多数NAND Flash终端的应用产品出货量将比2008年小幅衰退，且新的杀手级应用产品SSD的市场仍小，但在2008年NAND Flash价格累计降幅颇大的情况下，将使2009年NAND Flash在各种应用产品的搭配容量持续的提升，因此预估NAND Flash位元需求成长率将由2008年的120% yoy减缓到2009年的77.5% yoy，1H09在淡季效应及全球不景气的双重冲击下，虽然供货商已在4Q08提前做了一些减产及岁修的措施来因应，但在需求及供给同时减少的状况下，我们预期1H09 时NAND Flash市场仍将呈现供过于求的情况，预期农历年前的强劲反弹力道在1月后可能会减弱，2H09由于2H08的市场需求比较基期低，因此预期2H09 NAND Flash相关产品市场的改善状况将会比1H09来得好，若届时供货商能够节制产能的扩充速度，预期价格可望随着2H09 NAND Flash市场的供需转趋平衡或小缺的情况下，在2H旺季需求的带动下逐步回升。

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