三星宣布投产40纳米8Gb融合闪存芯片

　　三星电子宣布，采用40nm工艺的Flex-OneNAND融合式闪存芯片已经投产，容量也达到了8Gb。Flex-OneNAND是三星在2007年研发成功的一种新型闪存技术，将单层SLC NAND和多层MLC NAND整合在了一块硅片上，有利于减少PCB占用空间、降低传送噪声、最大化地提高性能和效率。

三星Flex-OneNAND融合式闪存芯片

　　三星称，通过采用40nm新工艺和8Gb大容量，Flex-OneNAND闪存芯片的生产效率可比上一代60nm 4Gb提高最多180％。40nm Flex-OneNAND当前主要面向智能手机，不过三星认为今年底就会走入全高清电视、网络电视(IPTV)和其他高端应用领域，而且随着数据传输率的提高，会有越来越多的高端手机集成1GB乃至32GB嵌入式内存。

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