三星电子确认,广为看好的PRAM相变随机存储器终于投入了大规模量产,比原计划的六月份晚了足有一个季度,距离三星首次展示也已经过去了四年多。
PRAM是一种非易失性存储技术,通过切换硫系玻璃的结晶态和非结晶态来代表1和0,进而保存数据,不但可以替代做内存使用的动态存储DRAM,而且读写速度可以达到NOR和NAND闪存的30倍以上,读写循环寿命也有至少10倍,因此更适合取代闪存技术。
三星PRAM芯片
三星首批PRAM芯片采用60nm工艺制造,容量512Mb(64MB),可在80毫秒内擦除64千字(KW),是NOR闪存的10多倍,同时在5MB大小的数据区内数据擦除和重写速度大约是NOR闪存的大约七倍。
三星电子存储部门移动内存规划与推广事业部副总裁Sei-Jin Kim表示:“我们相信PRAM会对手机设计做出非常突出的贡献,特别是多媒体手机和智能手机。预计它将成为我们在未来的核心存储产品。”
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