30倍速度 三星量产PRAM相变存储芯片

　　三星电子确认，广为看好的PRAM相变随机存储器终于投入了大规模量产，比原计划的六月份晚了足有一个季度，距离三星首次展示也已经过去了四年多。

　　PRAM是一种非易失性存储技术，通过切换硫系玻璃的结晶态和非结晶态来代表1和0，进而保存数据，不但可以替代做内存使用的动态存储DRAM，而且读写速度可以达到NOR和NAND闪存的30倍以上，读写循环寿命也有至少10倍，因此更适合取代闪存技术。

三星PRAM芯片

　　三星首批PRAM芯片采用60nm工艺制造，容量512Mb(64MB)，可在80毫秒内擦除64千字(KW)，是NOR闪存的10多倍，同时在5MB大小的数据区内数据擦除和重写速度大约是NOR闪存的大约七倍。

　　三星电子存储部门移动内存规划与推广事业部副总裁Sei-Jin Kim表示：“我们相信PRAM会对手机设计做出非常突出的贡献，特别是多媒体手机和智能手机。预计它将成为我们在未来的核心存储产品。”

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