热点推荐
ZOL首页 > 移动存储 > 新闻 > 业界资讯 > 30倍速度 三星量产PRAM相变存储芯片

30倍速度 三星量产PRAM相变存储芯片


驱动之家 责任编辑:王刚 【转载】 2009年09月23日 04:59 评论

  三星电子确认,广为看好的PRAM相变随机存储器终于投入了大规模量产,比原计划的六月份晚了足有一个季度,距离三星首次展示也已经过去了四年多。

  PRAM是一种非易失性存储技术,通过切换硫系玻璃的结晶态和非结晶态来代表1和0,进而保存数据,不但可以替代做内存使用的动态存储DRAM,而且读写速度可以达到NOR和NAND闪存的30倍以上,读写循环寿命也有至少10倍,因此更适合取代闪存技术。


三星终于开始量产PRAM相变存储芯片
三星PRAM芯片

  三星首批PRAM芯片采用60nm工艺制造,容量512Mb(64MB),可在80毫秒内擦除64千字(KW),是NOR闪存的10多倍,同时在5MB大小的数据区内数据擦除和重写速度大约是NOR闪存的大约七倍。

  三星电子存储部门移动内存规划与推广事业部副总裁Sei-Jin Kim表示:“我们相信PRAM会对手机设计做出非常突出的贡献,特别是多媒体手机和智能手机。预计它将成为我们在未来的核心存储产品。”


  【每日焦点】i5御用内存 海盗船4GB/1600套装评测

相关搜索:CF卡 MicroSD卡 
给文章打分 5分为满分(共0人参与) 查看排行>>
频道热词:固态硬盘  移动硬盘  U盘  
视觉焦点
三星 2GB DDR3 1333(金条)
    移动存储新闻热点
    排行 文章标题
    TOP10周热门内存排行榜
    • 热门
    • 新品
    查看完整榜单>>