震后韩系半导体厂受益 日系厂受制约

　　日本2011年3月11日下午发生9.0级强震，虽然日系两大存储器厂东芝(Toshiba)和尔必达(Elpida)工厂并不在直接灾区附近，但仍对于整个半导体业产生巨大影响。

　　震央附近的岩手县，其半导体厂包括东芝、富士通、索尼等，其中东芝位于岩手县的厂房主要以逻辑芯片、消费性芯片为主，与NAND Flash芯片无关，而索尼受到此次地震影响最大，关闭其中6座工厂。

　　东芝NAND Flash工厂虽然不在灾区，但受到地震波及短暂停工，加上在地震之前3月8日，东芝四日市12英寸晶圆厂也出现停电现象，因此NAND Flash未来产能吃紧问题不可避免。

　　尔必达的生产基地位于广岛，属于日本南方，受到强震直接波及较小，但地震当天厂房也短暂发生暂停运行，但随即复工，而秋田封测厂则因为电力问题而无法实时复工，但整体而言，不论是尔必达或东芝，强震之后面临最大两个问题，一个是货品运输困难度大增，另一个则是晶圆材料短缺的问题。

　　全球最大晶圆供应商信越半导体市占率超过30%，信越半导体1座厂房邻近地震灾区，尔必达和东芝的矽晶圆大部分都是信越提供，因此未来晶圆供应受多大影响还需更进一步评估。

　　受地震和海啸消息影响，全球内存和闪存芯片曾一度暴涨，终端产品也跟风上涨。但好景不长，从本周初开始内存价格触顶回落；闪存类产品虽未能明显下跌，但涨势也得到控制，个别产品降价甩货。

　　业内方面，地震影响中最为受益的无非是韩系、美系、台系晶圆厂，其中尤其以韩国三星和海力士最为得利。随着韩系厂商借势增加产能，可以进一步扩大市占率。此外，日系厂商还面临是否转移产能至其他国家地区的考虑。