再升级 三星/现代首推DDR4内存实物

　　回顾历史，三星曾于1997年、2001年、2005年三次分别率先造出第一条DDR、DDR2、DDR3内存条，如今又在DDR4上继续保持了领先地位。

　　三星电子宣布，已经完成了历史上第一款DDR4 DRAM规格内存条的开发，并采用30nm级工艺制造了首批样品。虽然目前DDR4内存的标准规范仍未最终定夺，但是优势已经非常明朗。

内存发展规划图

　　三星这条样品属于UDIMM类型，容量为2GB，运行电压只有1.2V，工作频率为2133MHz，而且凭借新的电路架构最高可以达到3200MHz。相比之下，DDR3内存的标准频率最高仅为1600MHz，运行电压一般为1.5V，节能版也有1.35V。仅此一点，DDR4内存就可以节能最多40％。

　　根据此前的规划，DDR4内存频率最高有可能高达4266MHz，电压则有可能降至1.1V乃至1.05V。

　　三星表示，这条DDR4内存使用了曾出现在高端显存颗粒上的“Pseudo Open Drain”(虚拟开漏极)技术，在读取、写入数据的时候漏电率只有DDR3内存的一半。

　　三星称，上月底已经向一家控制器制造商提供了这种DDR4内存条的样品进行测试，并计划与多家内存厂商密切合作，帮助JEDEC组织在今年下半年完成DDR4标准规范的制定工作，预计2012年开始投入商用。

　　另一家发布DDR4内存的是三星的老对手海力士。海力士已经开发出了容量2Gb(256MB)的DDR4 DRAM内存颗粒，以及容量2GB的DDR4 ECC SO-DIMM内存条，支持错误校验功能，均采用先进的30nm级别工艺制造，完全符合JEDEC组织制定的相关标准规范。

　　海力士DDR4 DRAM内存颗粒的运行速度高达2400MHz，比目前主流的DDR3-1333快了整整80％，也比三星DDR4快了266MHz，同时运行电压仅有1.2V，64-bit I/O接口下数据传输带宽高达19.2GB/s。

　　海力士计划2012年下半年开始批量生产这种高性能DDR4内存，主要提供给微型服务器(micro server)市场，暂无消费级产品规划。

　　从上面的消息看，我们还短期内无法使用到这种高频低功耗的内存，不过目前AMD和Intel都已经集成内存控制器，所以新的DDR4内存会带来新的信号传输方式，甚至会引起CPU接口的转变，所以短期不会上市到消费市场，我们只能期待它尽快到来。