IDF:英特尔推固态硬盘 性能提升10倍

　　2007年4月17日，CNET（中国）·ZOL北京报道：今日，英特尔信息技术峰会（Intel Developer Forum，简称IDF）在北京国际会议中心召开。英特尔在论坛上向大家介绍了固态硬盘加速技术。

　　英特尔表示，固态硬盘的功耗是普通硬盘的十分之一，但性能却可以达到普通硬盘的10倍，而在耐用性方面则会提升1000倍。相比普通硬盘，固态硬盘更容易携带，发热量也更小，这是打破硬盘传统存储技术的革命。

英特尔表示固态硬盘性能可提升10倍，而功耗仅为普通硬盘的十分之一

　　据悉，下一代NAND闪存的规格包括超过100万个写入周期，超过10年的保存时间。而且在该闪存上可以直接改写数据位，无需删除。