在数码时代的今天,照片、音乐、电影等文件体积不断增加,人们存储美好瞬间的需求不断加深的前提下,闪存卡逐渐成为数码市场的新宠,特别是随着越来越多的手机设备开始重新设计手机卡/存储卡二合一卡槽,大容量闪存卡更是成为年轻的手机党们必备的实用单品。
正是基于当下闪存卡市场的真实需求,国际存储厂商三星存储,近日研发出全球首款基于48个单元层的3位MLC V-NAND,容量达256GB的三星EVO Plus microSD卡,根据官方数字,通过基准工具Testmetrix测试性能,此款闪存卡连续最大读取速度能达到95MB/S、最大写入90MB/S。
那么,到底此款闪存卡的真实读写速度如何?性能究竟怎样呢?今天,笔者就为大家首测此款全新的三星EVO Plus 256GB闪存卡。
外观综述:小巧精致
此款三星EVO plus闪存卡,在外观上依旧延续着此前发布的128GB以及64GB产品的一直风格,简洁精致,以红色为主色调,大字的容量标识,白底黑字的SAMSUNG标志,令人影响深刻。
除了容量标识以及容量大小,还有速度级别、速度模式等相关参数的十分详尽。根据笔者收到的产品标识,此款闪存卡的速度级别达到了class 10,而在总线速度模式上,达到了UHS-Ⅰ的标准,同时此款闪存卡还支持U3标准。
因而在理论读写速度上,此款闪存卡几乎可以匹敌市面上绝大部分的闪存卡产品。那么此款卡的实际读写成绩又是如何呢?接下来就进入我们的软件实测环节。
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