SanDisk/东芝167亿美元合资建闪存厂

    由于NAND闪存芯片未来需求被普遍看好，业界传出NAND闪存联盟东芝和SanDisk准备斥资167亿美元合资兴建两座12英寸NAND闪存芯片厂，预估到2013年产能将达到目前的4倍。东芝社长Atsutoshi Nishida公开表示，东芝的目标是联合SanDisk一起抢夺NAND市场份额，将市占率提升。

　　由于对市场状况非常看好，Atsutoshi Nishida在去年FAB4的开工典礼上，已经透露东芝和SanDisk在NAND方面的12英寸晶圆厂建设计划将会持续下去，并在当时透露最快会在2008年3月开始动工兴建FAB5和FAB6。业内分析人士认为，由于SSD将渴望开始逐步取代传统硬盘，成为电脑业界主要存储介质，外加手机、PMP等消费电子产品带动NAND闪存需求不断攀升，是业界NAND闪存大厂不断加码升级动作的主要诱因。

　　目前三星、Hynix都在不断兴建12英寸晶圆厂，英特尔和镁光也合资成立了IM FLASH，并从今年2月开始投产。东芝和SanDisk此番兴建计划如果顺利，将在未来有机会挤下三星成为全球第一的NAND闪存芯片厂商。但也有业内人士担心，目前来看2008年NAND厂商产能预估将扩充一倍，但市场预期需求未必也会增长一倍，会否继续重演供过于求导致闪存价格迅速崩盘的局面，有待观察。