明星编辑前言：
不知不觉中，SLC和MLC已经成为了大家谈论的热门话题。不信？在google里面搜索一下 SLC空格MLC，排在前面的都是大家耳熟能详的热门IT门户网站的热门连接。要知道在google上输入英文专业词汇一般都是好几页也见不到中文的。
虽说，急流中应勇退，但是看到大家对SLC，MLC还存在很多盲点，还存在很多认识上的偏差，在这个时候应该有这样一篇文章来引导真正理性客观的讨论。
为了写这样一篇文章，也查阅了很多资料，尽量做到兼顾专业性和通俗性，尽量保证资料的正确性和可验证性，尽量了解最新的技术进展，做到与时俱进，但是本人并非这方面专业人士，一些疏漏甚至错误可能难以避免，请读者不吝指出，互相交流的过程也是学习提高的过程。
Flash存储单元的微观物理结构
NAND FLASH简介
这部分不是本文的重点，尽量简单点了。Flash-ROM（闪存）已经成为了目前最成功、流行的一种固态内存，与EEPROM相比具有读写速度快，而与SRAM相比具有非易失、以及价廉等优势。而基于NOR和NAND结构的闪存是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年东芝公司发布了NAND flash技术（后将该技术无偿转让给韩国Samsung公司），强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。
NOR Flash的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中.NOR Flash的传输效率很高，在1——4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
NAND Flash结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。
NAND FLASH的区块逻辑结构
以2Gb NAND器件为例，它由2048个区块组成，每个区块有64个页，每一个页均包含一个2048字节的数据区和64字节的空闲区，总共包含2,112字节。空闲区通常被用于ECC、耗损均衡(wear leveling)和其它软件开销功能，尽管它在物理上与其它页并没有区别。（注意这里面的空闲区，并非真的“空闲”。很多额外的功能要依托于这部分空间来实现）。
在性能方面，NOR Flash读速度比NAND Flash稍快一些；NAND Flash写入速度比NOR快很多；NAND Flash的4ms擦除速度远比NOR Flash的5s快；大多数写入操作需要先进行擦除操作，NAND Flash擦除单元更小，相应的擦除电路更少。
容量和成本上，NAND Flash的单元尺寸几乎是NOR Flash器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND Flash结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。
