SLC与MLC技术介绍与对比

什么是通常所说的SLC，MLC

　　MLC是英特尔（Intel）在1997年9月最先开发成功的，其作用是将两个位的信息存入一个浮动栅（Floating Gate，闪存存储单元中存放电荷的部分），然后利用不同电位（Level）的电荷，透过内存储存格的电压控制精准读写，假设以4种电压控制、1个晶体管可存取2bits的数据，若是控制8种电压就可以存取3 bits的数据，使Flash 的容量大幅提升，类似Rambus的QRSL技术，通过精确控制浮动栅上的电荷数量，使其呈现出4种不同的存储状态，每种状态代表两个二进制数值（从00到11）。

SLC和MLC

　　另外这里要提及的是3星还有3值存储的MLC（3-Level MLC NAND Flash Memory）读写速度上有很大提高。同理可知，所谓SLC就是每一个存储单元只存储1bit的信息。即浮动中，只区分“有”或“无”电子两种状态。

　　这里提及一点，很多专业人员认为SLC并非一个规范的名称（引用的这幅图片里面就称之为：binary flash）因为，SLC对应于MLC，Single Level Cell 对应于Multi Level Cell，而很显然的，SLC并非single level，而是2-level，所以也有人称binary flash的。（也许应该缩写为BLC？）

比较特殊的3值MLC

SLC vs MLC

　　从上面可以看出，MLC并非单纯的在浮动栅中储存电荷，而是要精确控制储存电荷的多少，这就不可避免的造成了误码率高于SLC，相应的读写机构也更复杂，于是限制了读写速度。增加了耗电量（相同生产工艺下）同样的，买一个存储单元都会经历老化失效的过程，MLC的每一个单元要储存更为精细的电荷量并且在读取的时候分辨出来，这就造成了在同样的老化程度下，SLC的单元可以“坚持”工作，而MLC的存储单元则会出现错误。

　　MLC的优势，以及缺点的克服，就是很多资料归结出来的3点：

1：擦写寿命问题，SLC每个单元承受擦写次数是MLC单元的10倍；
2：传输速度问题，未采用优化技术的MLC读写速度仅为SLC的1/2-1/3；
3：耗电量问题，相同生产工艺下MLC读写机构更为复杂，耗电量更大。

　　关于写入寿命（读取不耗损寿命）这里要说一点，SLC通常标注为10W次，MLC标注为1W次，这个值是最小保证值。即此芯片在10w次（1W次）的读写过程中无任何单元新发失效。（出厂时候已经检测为坏块的区域除外）如果运气不太差的话，通过屏蔽掉一些容易老化的单元，整体寿命还可以得到很大程度的延长。

　　当然，还有成品率，设计结构复杂化的问题，不过这都是生产厂商的事。

　　但是，月有盈亏，纸有两面，MLC之所以能发展得越来越好，是因为MLC具备SLC永远无法企及的优点。于是……