英特尔/美光25纳米工艺晶圆工厂直击

产品：X25-M G2 34nm（160GB） Intel 固态硬盘

英特尔/美光25nm晶圆厂参观（上）

　　前不久，Intel、美光合资闪存制造企业IM Flash Technologies, LLC(IMFT)宣布已经开始试制25bn工艺NAND闪存芯片。除了纸面宣布外，他们实际上还邀请了多家媒体到IMFT位于美国犹他州Lehi的25nm工艺晶圆厂进行参观。

位于雪山脚下的IMFT工厂

工厂结构图

　　工厂结构，制造半导体产品最关键的无尘室位于第三层，加压吊顶形成由上向下的气流，设备维护工作则在二层的“SubFab”层完成。

进入工厂的准备工作

　　进入无尘室之前的“打包”过程。（由于无尘室内部的严格要求，实际上以下内部照片均来自IMFT官方）

无尘工厂内部

　　晶圆厂内走廊，顶端的自动运输系统（AMHS）正在以每小时13公里的速度将晶圆在各个制造环节间运输，24小时不停歇。每个运载器都搭载了一个FOUP（前端开口片盒），其中可装载最多25片300mm晶圆。

厂内地面全部打孔，保证空气从上向下流通，将落尘可能减到最小。

FOUP片盒挂接在一个制造阶段设备上，后面的那个正在被AMHS吊起。

　　几乎所有制造过程均为自动完成，因此厂内大部分工人的工作就是保证这些设备正常运行。

产品：X25-M G2 34nm（80GB） Intel 固态硬盘

英特尔/美光25nm晶圆厂参观（中）

化学机械抛光（CMP）车间

照明受限的光刻车间

一块光刻掩膜，光刻过程简单的说就是将这块掩膜上图案“缩印”到晶圆上。

光刻过程中的“校准”

实时缺陷监测（RDA）

FOUP片盒中的300mm晶圆

PCper记者手持一片25nm工艺300mm晶圆，总容量超过2TB。

产品：X25-M G2 34nm（80GB） Intel 固态硬盘

英特尔/美光25nm晶圆厂参观（下）

晶圆上的芯片

300mm晶圆

每片闪存颗粒die容量为8GB（每格2GB），面积167平方毫米。

Intel副总裁，NAND闪存业务总经理Tom Rampone手持25nm颗粒

尺寸对比

　　从左到右分别是：

　　2003年130nm工艺128MB，2005年90nm工艺512MB，2007年50nm工艺1GB，2009年34nm工艺4GB以及现在的25nm工艺8GB闪存。最右侧是标准的TSOP闪存封装尺寸。

　　使用25nm工艺闪存，只需要单die芯片即可造出Class 10级SD卡。Intel计划，今年将基于该闪存造出最大600GB的固态硬盘，而美光甚至计划最大推出1TB SSD。