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DDR4领衔 2011下半年3大新技术展望


CBSi中国·ZOL 作者:中关村在线 孙玉亮 责任编辑:孙玉亮 【原创】 2011年06月28日 05:35 评论

  2011年上半年已经画上句号,虽然在上半年发布的新品比较少,但是下半年可谓全面开花。大家都知道,存储设备一直以一身不变的风格展现在用户眼前,历来更新换代速度慢,不过下半年可以预见的新品还是非常拉风的。

● 新一代DDR4内存2011年面世

  韩国三星公司日前正式宣布,该公司成功使用30nm工艺推出了业界首款DDR4内存产品。对此三星公司内存市场部的执行副总裁Dong-Soo Jun表示:“新款DDR4 DRAM内存将会为我们先进的绿色内存带来更多的优势,特别是在当我们为主流应用使用下一代工艺推出4G DDR4产品的时候。”



2011年内存/硬盘市场展望
DDR4时代将正在2011年提前到来

    从上图我们看出DDR4内存起步频率就达到了2133MHz,最大频率可以达到4266MHz,并且电压会进一步降低至1.2V、1.1V,甚至还可能会有1.05V的超低压节能版。而目前的DDR3内存最高标准频率为2133MHz,电压则有标准版1.5V、节能版1.35V两种。所以可以预见DDR4将继续沿着高频率、低电压之路前进。

2011年内存/硬盘市场展望
三星完成史上第一条DDR4内存

  有消息称,JEDEC组织会在2011下半年完成DDR4标准规范的制定工作,而且三星也会加快与其它DRAM厂的密切合作,并且帮助制定DDR3标准。所以不出意外,在2011年底我们就能见到真正的DDR4内存出炉。

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