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2011年下半年SSD全面普及25nm工艺

DDR4领衔 2011下半年3大新技术展望

CBSi中国·ZOL 作者:中关村在线 孙玉亮 责任编辑:孙玉亮 【原创】 2011年06月28日 05:35 评论

● 2011年下半年SSD全面普及25nm工艺

  Intel和镁光研发的25nm工艺闪存已经开始投产,这一制程据称比竞争对手至少领先一年。首先量产的25nm颗粒为8GB(64Gb)容量MLC NAND闪存,采用沉浸式光刻技术,核心面积167mm2。支持开放式NAND闪存接口ONFi 2.2,界面速度最高可达200MB/s,页面(page)尺寸从50/34nm时代的4KB翻番到了8KB,块(Block)尺寸从128个页面加倍到256个页面,读写性能预计将有显著提升。


DDR4领衔 2011下半年3大新技术展望
25nm新工艺Flash

  随着工艺的不断升级,SSD固态硬盘的成本大幅下调,之前用80GB的钱如今可以买到120GB的容量,性价比不断攀升,所以不少厂商纷纷跟进,推出25nm的固态硬盘

  如今市占率非常高的Intel X25-M固态硬盘已经悄然升级为全新25nm的320系列固态硬盘,用户喜欢称之为G3。目前该系列固态硬盘批量上市,其中40GB、80GB点名率最高,基本被用作系统盘使用。

Intel 320测试  Intel 320测试
Intel 320系列固态硬盘外观

  芝奇迈入25nm NAND闪存时代的第一款新工艺固态硬盘叫“PHOENIX EVO”。芝奇PHOENIX EVO采用标准的2.5英寸规格,SATA 3Gbps接口,SandForce SF-1222主控制器,容量115GB(产品编号FM-25S2-115GBPE),没有自带缓存,内建ECC/EDC错误校验功能,平均故障间隔时间100万小时以上,但写入循环次数没有公布。

DDR4领衔 2011下半年N大新机展望
芝奇PHOENIX EVO固态硬盘

  海盗船的这两款新品都隶属于Force系列,型号为“F80A”、“F115”,产品编号CSSD-F80GB2-BRKT-A、CSSD-F115GB2-BRKT-A(后文有详细说明),2.5寸规格,重量80克,SATA 3Gbps接口,未格式化容量80GB、115GB,均采用25nm MLC NAND闪存芯片,没有DRAM缓存,控制器采用SandForce SF-1200。

DDR4领衔 2011下半年N大新机展望
海盗船F115固态硬盘

  性能方面,ATTO Disk Benchmark测试持续读取速度280MB/s、持续写入速度270MB/s、4K Aligned随机写入性能50000 IOPS,空闲/待机/休眠功耗最高0.5W,读写功耗最高2.0W,抗冲击能力1500G,平均故障时间100万小时,支持S.M.A.R.T.。

总结

  以上就是为大家带来2011下半年的新品展望,其中希捷单碟1TB硬盘似乎离普通用户最近,随着硬盘单碟容量的不断提升,内部传输速度也在攀升,预计读写速度会达到150MB/S左右。

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