3D闪存 SSD速度与性能跨上新台阶

    2014年，越来越多的用户对SSD不再排斥，甚至不再犹豫。从2014年上半年开始，主流128GB价格全面下探到500元以内，400多元的产品稀松平常，300多元的高性价比产品也随处可见，低价让SSD到了一个不得不普及的阶段，选它就没错！

便宜的SSD不在少数

    另外，今年引起轰动的不得不说是3D闪存在SSD的应用。3D堆叠芯片技术最早应用于英特尔处理器，CPU得以容纳更多的晶体管，同时提高处理器的性能。而在SSD产品线，此前闪存芯片采用2D平面型NAND技术，临近存储单元的堆放密度极限，如何在同等面积下容纳更多的存储单元？3D闪存的到来解决了这个问题。

3D V-NAND闪存晶圆

    3D V-NAND技术采用不同于传统NAND闪存的排列方式，通过改进型的Charge Trap Flash 技术，在一个3D的空间内垂直互连各个层面的存储单元，使得在同样的平面内获得更多的存储空间。 今年，三星升级3D V-NAND技术改为32层柱状细胞结构，可以垂直堆叠更多个“细胞层”－－存储单元，从而提高密度，降低碳足迹，可提供两倍于传统20nm平面NAND闪存的密度和写入速度，同时使用寿命也更长。

    另外，在今年12月浦科特专访中提到，明年3D TLC也将开始大量应用，更激烈的暴风雨还在后面！