〉〉换“芯——3D V-NAND技术

    这款三星便携式SSD T1之所以能够做到如此小巧轻薄，很大程度上源于它的创新点：3D V-NAND技术。正是因为这门技术，速度变得更快，安全性能更高。

3D V-NAND结构创新

    作为闪存芯片（NAND)制造的新技术，3D V-NAND主要从结构方面对闪存芯片进行了改进。在之前的闪存芯片中，采用的都是2D平面设计的存储单元（Cell）技术。使用3D V-NAND技术之后，则将闪存芯片中的晶体管竖了起来，然后用绝缘体和控制栅极环绕包围这这些晶体管，这样就形成了一个“站立”起来的同轴结构体。将这些同轴结构体一层层向上堆叠，形成多层结构，就构成了3D V-NAND的基本形态。

三星便携式SSD T1

    三星便携式SSD T1选用3D V-NAND技术，相比传统移动硬盘而言优势就更加明显：

1、使用3D V-NAND技术之后，好比让平房变成了高楼，就能在同一面积的闪存芯片中装入更多的存储单元，有利于增加单位面积内的存储容量。即使很大容量也能集成到一个小巧的闪存芯片上。

2、3D V-NAND技术使SSD实现了更快的写入速度以及更低的功耗，代表着整个闪存产业的最高技术水平。

3、摒弃了传统的机械结构设计，在防震抗摔的问题上表现更为出色，存储更加安全可靠

4、3D V-NAND中，闪存芯片的结构发生了变化，不仅用氮化硅取代原有的二氧化硅作为绝缘层，减少隧穿效应的影响，使用寿命就会更长