热点:
    编辑

    突破存储极限 三星EVO Plus闪存卡首测

      [  中关村在线 原创  ]   作者:  |  责编:孙玉亮
    收藏文章 阅读全文 暂无评论

    近年来,随着闪存技术的突飞猛进,特别是以三星为主的闪存原厂在3D NAND等关键性技术的研发和创新,超大容量更小体积更强稳定性的闪存产品纷纷问世,掀起了又一轮新的存储风暴。

    近日,三星存储正式宣布,旗下基于3D NAND闪存技术的三星EVO 256GB超大容量SD卡的升级版三星EVO PLUS携带着全新的闪存技术和更加强劲的性能,将于不久后正式问世。

    突破存储极限 三星EVO Plus闪存卡首测

    升级版三星EVO PLUS 256GB闪存卡

    作为三星存储在SD卡领域的最新产品,脱胎于三星EVO 256GB的升级版三星EVO PLUS 256GB闪存卡在产品设计上到底又有哪些创新?在应用了更核心的3D NAND技术的新产品在具体性能上又有多少突破?

    突破存储极限 三星EVO Plus闪存卡首测

    下面,就请和笔者一起通过测试数据进行分解。

    外观设计:品牌延续,高度统一

    在进行测试之前,我们先来看看此款产品的外观设计。

    在外观上,由于同属于三星EVO 256GB系列,在设计上此款EVO Plus保持了和整个系列的高度统一,整体配色上依旧采用红色为主色调,辅以白色进行点缀。

    突破存储极限 三星EVO Plus闪存卡首测

    延续上一代外观设计

    在产品表面,依旧保持和上一款EVO 256GB+的文字设计,大字的容量标识,熟悉的白底黑字“SAMSUNG”的品牌logo,以及U3等速度等级标识,几乎没有多余的改变和设计。

    突破存储极限 三星EVO Plus闪存卡首测

    经典的红白配色以及白底黑字

    唯一的区别在于产品之间的型号标识存在差异,上一款是“+”系列,而这一款则是“Plus”系列。

    突破存储极限 三星EVO Plus闪存卡首测

    统一中的不同全新“Plus”标识

    本文属于原创文章,如若转载,请注明来源:突破存储极限 三星EVO Plus闪存卡首测//mst.zol.com.cn/637/6379891.html

    mst.zol.com.cn true //mst.zol.com.cn/637/6379891.html report 1152 近年来,随着闪存技术的突飞猛进,特别是以三星为主的闪存原厂在3D NAND等关键性技术的研发和创新,超大容量更小体积更强稳定性的闪存产品纷纷问世,掀起了又一轮新的存储风暴。近日,三星存储正式宣布,旗下基于3D NAND闪存技术的三星EVO 256GB超大容量...
    提示:支持键盘“← →”键翻页阅读全文
    本文导航
    不喜欢(0) 点个赞(0)

    推荐经销商

    投诉欺诈商家: 010-83417888-9185
    • 北京
    • 上海