英特尔/美光25nm晶圆厂参观（下）

晶圆上的芯片

300mm晶圆

每片闪存颗粒die容量为8GB（每格2GB），面积167平方毫米。

Intel副总裁，NAND闪存业务总经理Tom Rampone手持25nm颗粒

尺寸对比

　　从左到右分别是：

　　2003年130nm工艺128MB，2005年90nm工艺512MB，2007年50nm工艺1GB，2009年34nm工艺4GB以及现在的25nm工艺8GB闪存。最右侧是标准的TSOP闪存封装尺寸。

　　使用25nm工艺闪存，只需要单die芯片即可造出Class 10级SD卡。Intel计划，今年将基于该闪存造出最大600GB的固态硬盘，而美光甚至计划最大推出1TB SSD。